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NXP Semiconductors
PTVSxS1UR series
400 W Transient Voltage Suppressor
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
P PPM
I PPM
Parameter
rated peak pulse power
rated peak pulse current
Conditions
[1][2]
[1]
Min
-
-
Max
400
see
Unit
W
Table 9
and 10
I FSM
Non-repetitive peak
single half-sine
-
50
A
forward current
wave; t p = 8.3 ms
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 55
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
[1]
[2]
In accordance with IEC 61643-321 (10/1000 μ s current waveform).
For PTVS3V3S1UR: P PPM = 350 W
Table 6. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
[1][2]
-
30
kV
(contact discharge)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ElectroStatic Discharge (ESD) pulses.
Soldering point of cathode tab.
Table 7.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
PTVSxS1UR_SER
Product data sheet
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Rev. 3 — 10 January 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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